حافظه جدید محصول همکاری اینتل و میکرون بوده و ۳D XPoint نام داشتند. نسل جدید حافظه حاصل تلاش و توسعه ۱۰ ساله این دو شرکت است. ساخت این حافظه در حالی است که محققان سال های متوالی به دنبال ساخت پردازنده ای بودند که بتوانند داده ها را با سرعت بیشتری منتقل کنند.
حافظه جدید اینتل، اولین گونه
از نسل جدید حافظه ها است که در ۲۵ سال اخیر عرضه شده و سرعت انتقال داده
ها در این حافظه ۱۰۰۰ برابر بیشتر از حافظه های NAND است که در SSD استفاده
می شود. اما سامسونگ نیز از کمپانی های رقیب بازنمانده و در جریان برگزاری
این نمایشگاه حافظه SSD با ظرفیت ۱۶ ترابایت را معرفی کرد. سامسونگ اعلام
کرد، نسل سوم حافظه های V-NAND/۳D از ماه جاری به تولید انبوه خواهند
رسید.
محصول جدید سامسونگ اولین حافظه SSD عرضه شده از سوی این
کمپانی با طراحی ۴۸ لایه است که از حافظه های NAND مشهور به TLC ۲۵۶
گیگابایتی در آن استفاده شده است. ساخت حافظه جدید در حالی است که نسل دوم
حافظه های SSD سامسونگ با طراحی ۳۲ لایه همراه بوده اند و از تراشه های
TLC ۱۲۸ گیگابایتی یا MLC ۱۲۸ گیگابایتی بهره می بردند.
رقابت کمپانی های فناوری در ساخت حافظه های جدید با ظرفیت بیشتر در حالی است که شرکت هایی مانند توشیبا یا SanDisk از عرضه حافظه های ۴۸ لایه تا اوایل سال ۲۰۱۶ خبر داده اند.
تراشه های ۲۵۶ گیگابایتی TLC سامسونگ از نظر مصرف انرژی ۳۰درصد بهینه تر از حافظه های فعلی یعنی تراشه های TLC با ظرفیت ۱۲۸ گیگابایتی هستند. در فناوری جدید حتی تراکم حافظه ۴۰ درصد بهبود یافته تا بتواند نیاز مخاطبان را بهتر پاسخگو باشد.
از قابلیت های حافظه جدید می توان حجم کوچکتر، سرعت و استحکام بیشتر را برشمرد. افزایش حافظه و سرعت بدین معناست که در فضای فیزیکی یکسان می توان تعداد بایت های بیشتری را ذخیره کرد.
